瓷片电容封装(瓷片电容封装大小与什么参数有关)
本文目录
- PCB板中RAD0.2是什么元件的封装
- CSP-0.2是什么封装
- 0805封装和0603封装的瓷片电容有什么区别
- 陶瓷电容是怎样封装的
- 瓷片电容规格识别
- 陶瓷电容器0805封装是什么规格
- 瓷片电容技术参数有哪些
PCB板中RAD0.2是什么元件的封装
RAD是瓷片电容的封装，一般104.103.222.33.这些的封装是RAD0.1，而RAD0.2的就是比较大，可以说是元器件管脚的距离是200mil本站。
CSP-0.2是什么封装
CSP是芯片尺寸封装（ChipSizepackage），0.2正常理解是指CSP的焊盘/焊球节距是0.2mm。
0805封装和0603封装的瓷片电容有什么区别
不是06030805就是其封装形式不一样，就是在印制板伤体积不一样大，耐压值跟封装没有必然联系
陶瓷电容是怎样封装的
在陶瓷电容中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压。高压陶瓷电容一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压。高压陶瓷电容常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。最高的可达30KV的电压。高压陶瓷电容，以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的，用来绝缘。陶瓷电容封装必须要用环氧树脂进行封装。如果高压陶瓷电容不用环氧树脂封装，就会让陶瓷电容直接接触空气，这会直接影响到电容器的容量和容抗。陶瓷电容如果接触到空气，其容量就会变低，甚至使得高压陶瓷电容可能会从原本想生产的2000PF的高压陶瓷电容如果没有封装会变成几百PF的电容。另外如果陶瓷电容如果接触空气也会导致其容抗降低，而且随着电阻值和容量越来越小，将会导致陶瓷电容性能尽失。所以高压陶瓷电容生产过程必须要进行封装。以上元器件知识由JEC为您提供。
瓷片电容规格识别
瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如：102表示标称容量为1000pF。221表示标称容量为220pF。224表示标称容量为22x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用“9“表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%
陶瓷电容器0805封装是什么规格
c:是电容的单位代码0805：代表电容的尺寸规格，0805=2.0mmx1.2mmKR:电容容值误差代码，KR=+-10%X7R:电容的分类代码，X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器9bb：耐压值，9bb=50V821：代表电容大小。821=820pf如有疑问请追问，答题不易如有疑问请追问，答题不易如有疑问请追问，答题不易
瓷片电容技术参数有哪些
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠陶瓷材料有几个种类自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容它特别适用于谐振路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
